Quadro专业显卡、Tesla加速卡是NVIDIA的“摇钱树”，而且在这些年也越来越能代表GPU芯片的真实实力（AI开发、深度学习指标）。

由于在初期可以通过价格抵消到更多的低良率损失，所以NVIDIA近几年尝鲜新的芯片制程工艺，都是从大核心开始，比如基于12nm的Tesla V100加速卡。

当然，这里的12nm其实是台积电“忽悠小白消费者”的说法，实质是16nm的改良版。

据KG报道，台积电表示，12nm FinFET将在今年底进入大规模投产期，这意味着良率将提高到非常可观的水平，也意味着NVIDIA基于Volta（伏特）架构的消费级游戏显卡开始上马。

此前在Q2财报会议上，NVIDIA CEO黄仁勋坦陈，目前基于12nm的Tesla V100加速卡产能很低，价格也是做不下来。

当然，NV之所以准备这么久，还有等待GDDR6的原因，美光和SK海力士规划的都是2018年初量产，前者更是宣布会和NVIDIA联合首发GDDR6显卡。

规格方面，GDDR6显存颗粒封装面积减小、电压从标准1.5V降为1.35V，更加省电，最主要的带宽（速度）方面，单引脚从8Gbps和G5X的12Gbps提升到理论最高16Gbps，容量最高可实现48GB 384-bit位宽的显存。

KG透露，Volta游戏显卡有望在2018年3月正式发布。

考虑到昨晚AMD的RX Vega 56/64解禁了评测和销售，算不算NV的一个回击呢？

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